비교 항목 (Parameter) | Reed Switch | Hall Effect Sensor | TMR Sensor |
외형 |  |  | |
구동 방식 | 전자기계식 | 고체 반도체 | 고체 반도체 |
동작 전압 (Supply Voltage) | N/A (Passive) 스위칭 전압: Max 200Vdc | 3.8 V ~ 24 V (광범위한 입력 전압 지원) | 1.8 V ~ 5.5 V (저전압 CMOS 로직 호환) |
동작 전류 (Supply Current) | 0 A (Standby) | Typ. 4.1 mA / Max 7.5 mA | Typ. 1.5 µA |
자석 감지 방향 (Sensitivity Axis) |  평행 (Parallel) 리드 축과 나란한 자속 |  수직 (Perpendicular, Z-axis) 패키지 표면에 수직 |  평행 (In-Plane, X/Y-axis) 패키지 표면과 평행 |
반응 속도 (Response Time) | 0.55 ms (Max) (기계적 관성 및 바운싱 존재) | 4 µs (Typ) (고속 전자 스위칭) | > 1 kHz (1 ms 이하) (모델에 따라 50Hz~수 kHz 가변) |
동작 온도 (Operating Temp) | -40°C ~ +125°C | -40°C ~ +85°C | -40°C ~ +125°C |
전기적 수명 (Electrical Life) | 유한함 (부하 조건에 따라 10^5 ~ 10^9 회) | 무한함 (반영구적 수명) | 무한함 (반영구적 수명) |
주요 특징 | 무전원 대기, 고전압 직접 제어 | 가격 경쟁력, 고속 응답 | 초저전력, 고감도, 온도 안정성 |
